1. Simcenter T3STER的基本概述

Simcenter T3STER是一種先進(jìn)的無(wú)損瞬態(tài)熱測(cè)試儀，專為測(cè)試封裝半導(dǎo)體器件的熱特性而設(shè)計(jì)。它通過(guò)非破壞性地測(cè)試封裝好的半導(dǎo)體器件的電壓隨時(shí)間的瞬態(tài)變化，快速獲得準(zhǔn)確且重復(fù)性良好的熱特性數(shù)據(jù)。

T3STER(tri-ster)的全稱是"Thermal Transient Tester"，是一款用于半導(dǎo)體器件封裝熱特性的高級(jí)測(cè)試儀器，同時(shí)也可用于測(cè)試IC、SoC、SIP、散熱器、熱管等的熱特性。

作為Simcenter Micred硬件家族的一部分，T3STER旨在通過(guò)測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)元件，對(duì)封裝半導(dǎo)體裝置(如二極管、雙極型晶體管、功率場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵雙極晶體管、電源LED等)進(jìn)行熱特性分析。

2. 工作原理

Simcenter T3STER基于熱瞬態(tài)測(cè)試技術(shù)，其工作原理主要是通過(guò)施加瞬態(tài)電流脈沖到待測(cè)半導(dǎo)體器件上，引起器件溫度變化，并測(cè)量由此產(chǎn)生的電壓變化來(lái)分析器件的熱特性參數(shù)。

具體來(lái)說(shuō)，T3STER通過(guò)測(cè)量半導(dǎo)體器件在電流脈沖作用下的瞬態(tài)響應(yīng)，包括溫度上升、熱傳導(dǎo)和散熱過(guò)程，來(lái)確定器件的熱阻、熱容等熱特性參數(shù)。這種測(cè)試方法是非破壞性的，不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成損害。

T3STER的測(cè)試方法符合國(guó)際通用標(biāo)準(zhǔn)，包括JEDEC JESD51-1、JEDEC JESD51-14、美軍標(biāo)MIL 883H、MIL 750E以及國(guó)際電工委員會(huì)的ICE60747系列標(biāo)準(zhǔn) 。

3. 產(chǎn)品型號(hào)與規(guī)格

Simcenter T3STER標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)是一款先進(jìn)的無(wú)損瞬態(tài)熱測(cè)試儀，用于封裝半導(dǎo)體和多芯片器件(如BJT和IGBT)的熱表征。

T3STER SI型號(hào)

Simcenter T3STER SI是T3STER家族的高級(jí)型號(hào)，代表新一代熱瞬態(tài)測(cè)試儀，用于半導(dǎo)體分立器件的先進(jìn)熱特性測(cè)試，同時(shí)也用于測(cè)試復(fù)雜多核IC、TTV芯片等的熱特性。

T3STER SI的硬件框架最多可容納10個(gè)插件單元(PIU)，可以靈活配置Heating Current Output與Measurement Channel的數(shù)量。其規(guī)格包括：2個(gè)加熱電流輸出(MAX.20W)、2A/10V、1A/20V、0.5A/40V、兩個(gè)輸出通道為同一接地。

T3STER SI的使用性增強(qiáng)，量測(cè)過(guò)程可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)元件電壓值；可搭配大電流(240A) Booster量測(cè)高功率元件熱阻；軟件新增TH800 HW控制功能。

4. 技術(shù)特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

Simcenter T3STER是市場(chǎng)上領(lǐng)先的瞬態(tài)熱測(cè)試解決方案，具有以下競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：1、技術(shù)領(lǐng)先，T3STER采用先進(jìn)的熱瞬態(tài)測(cè)試技術(shù)和結(jié)構(gòu)功能分析，提供高精度、高重復(fù)性的熱特性測(cè)試結(jié)果；2、全球認(rèn)可，作為西門子的產(chǎn)品，Simcenter T3STER在全球范圍內(nèi)得到廣泛認(rèn)可和應(yīng)用，服務(wù)于眾多半導(dǎo)體制造商和電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)公司。3、完整的解決方案，Simcenter T3STER不僅提供硬件測(cè)試平臺(tái)，還提供完整的軟件支持，包括數(shù)據(jù)采集、分析和報(bào)告生成，以及與Simcenter仿真工具的集成，形成完整的熱分析解決方案。

無(wú)損測(cè)試

Simcenter T3STER采用非破壞性測(cè)試方法，不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成損傷，可以在不破壞器件的情況下進(jìn)行多次測(cè)試，這對(duì)于貴重的半導(dǎo)體器件尤為重要。

快速測(cè)試

T3STER能夠快速獲得準(zhǔn)確的熱特性數(shù)據(jù)，通常在幾分鐘內(nèi)即可完成測(cè)試，顯著提高了測(cè)試效率。

高精度與重復(fù)性

T3STER采用準(zhǔn)確、可重復(fù)的熱瞬態(tài)測(cè)試技術(shù)和結(jié)構(gòu)功能分析，確保測(cè)試結(jié)果的精度和重復(fù)性，為熱設(shè)計(jì)和可靠性分析提供可靠的數(shù)據(jù)支持。

廣泛的適用性

T3STER可以測(cè)試各種封裝類型的半導(dǎo)體器件，包括二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管(FET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、發(fā)光二極管(LED)等，應(yīng)用范圍廣泛。

符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

T3STER SI的測(cè)試方法滿足國(guó)際通用標(biāo)準(zhǔn)，包括JEDEC JESD51-1、JEDEC JESD51-14、美軍標(biāo)MIL 883H、MIL 750E以及國(guó)際電工委員會(huì)的ICE60747系列。

實(shí)際環(huán)境測(cè)試

使用T3STER可以讓用戶在實(shí)際的環(huán)境中測(cè)試器件，獲得實(shí)際的導(dǎo)熱材料的接觸熱阻。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)可以用來(lái)校準(zhǔn)仿真模型，提高仿真精度。

自動(dòng)校準(zhǔn)功能

使用Simcenter T3STER? 瞬態(tài)測(cè)量進(jìn)行自動(dòng)校準(zhǔn)，可以鞏固熱能數(shù)字化雙胞胎的準(zhǔn)確性，為熱設(shè)計(jì)仿真提供可靠的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

與Simcenter生態(tài)系統(tǒng)集成

Simcenter T3STER是西門子Simcenter物理測(cè)試解決方案的一部分，可以與Simcenter的其他工具無(wú)縫集成，形成完整的系統(tǒng)級(jí)熱分析和優(yōu)化解決方案。

與Simcenter Flotherm的集成

Simcenter T3STER與Simcenter Flotherm熱仿真軟件緊密集成，通過(guò)T3STER的測(cè)試數(shù)據(jù)校準(zhǔn)Flotherm的熱模型，提高仿真精度，加速熱設(shè)計(jì)過(guò)程。

與Simcenter Powertester的協(xié)同

Simcenter Powertester是Simcenter Micred硬件家族的另一重要成員，用于高功率半導(dǎo)體元件的可靠度熱測(cè)。T3STER與Powertester協(xié)同工作，可以全面評(píng)估半導(dǎo)體器件在不同工況下的熱性能。

5. 應(yīng)用場(chǎng)景

半導(dǎo)體制造與測(cè)試

Simcenter T3STER廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中的熱特性測(cè)試，用于評(píng)估封裝半導(dǎo)體器件的熱性能，確保產(chǎn)品符合設(shè)計(jì)要求和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)與優(yōu)化

在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，T3STER可用于評(píng)估和優(yōu)化電子元件的熱性能，幫助工程師發(fā)現(xiàn)潛在的熱問(wèn)題，如熱路徑劣化或特定組件的熱阻變化，從而改進(jìn)設(shè)計(jì)。

熱仿真模型校準(zhǔn)

T3STER的測(cè)試結(jié)果可以生成熱阻熱容模型，供熱仿真軟件使用，同時(shí)也可以用于校準(zhǔn)詳細(xì)的仿真模型，提高熱仿真的準(zhǔn)確性和可靠性。

研發(fā)與創(chuàng)新

在半導(dǎo)體和電子領(lǐng)域的研發(fā)過(guò)程中，T3STER可用于研究半導(dǎo)體器件的熱特性，評(píng)估新型封裝材料和結(jié)構(gòu)的熱性能，推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新。